日廠第一家，日本昭和電工(Shoa Denko KK)公佈，採用於碳化矽(SiC)功率半導體的8吋SiC磊晶晶圓(Epitaxial Wafer)已開端進行樣品出貨。
昭和電工7日發行報導稿公佈，採用於SiC功率半導體的8吋(200mm)SiC磊晶晶圓已開端運彩兌獎期限進行樣品出貨、成為日本內地首家送樣8吋SiC磊晶晶圓的廠商。上台灣運彩賽事預測述8吋SiC磊晶晶圓採用了昭和電工自製的SiC單晶晶圓。
昭和電工指出，和原本採用矽晶圓的功率半導體比擬，SiC功率半導體的電力損耗更少、更不易發燒，來自電動車(EV)、再生能源領域的需要急增，而SiC磊晶晶圓為擺佈SiC功率半導體功能的要害零件。目前SiC功率半導體重要採用6吋(150mm)SiC磊晶晶圓進行生產，而跟著SiC磊晶晶圓大尺寸化、每片晶圓所能獲取的晶片數將變多，有助於提高生產效率、減低本錢。
昭和電工表明，該公司為環球最大SiC磊晶晶圓外售廠商。
昭和電工目前已和東芝子公司「東芝電子元件及儲存裝置(ToshibaElectronic Devices Storage)」、Rohm等多家廠商簽定SiC磊晶晶圓的歷久供給契約。
日本市調機構富士經濟(Fuji Keizai)5月23日公布查訪匯報指出，因汽車電子器材需要擴張，2024年環球功率半導體市場規模(涵蓋矽製產物和碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鎵等次世代功率半導體)預運彩 過三關估將年增118%至2兆3,386億運彩世足日圓，且之後市場規模將連續擴張，預估2030年將擴增至5兆玩運彩下注注意事項3,587億日圓、將較2024年提升16倍(提升約160%)。
此中，2024年矽製功率半導體市場規模預估將年增100%至2兆2,137億日圓，2030年預估將擴張至4兆3,118億日圓、將較2024年提升11倍；2024年SiC等次世代功率半導體市場規模預估將年增587%至1,249億日圓，之後市場規模將展示連忙擴張，預估2030年將達1兆469億日圓、衝破兆圓大關、將較2024年暴增123倍。
就次世代功率半導體的細項來看，2024年SiC功率半導體市場規模(涵蓋SiC-SBD、SiC-FET、SiC功率模組)預估將年增595%至1,206億日圓，2030年預估將擴張至9,694億日圓、將較2024年暴增118倍；2024年GaN功率半導體市場規模預估將年增219%至39億日圓，2030年預估將擴張至305億日圓、將較2024年暴增85倍；2024年氧化鎵功率半導體市場規模預估為3億日圓、2030年有望擴張至470億日圓。
