電動車(EV)續航間隔可增加1成！FLOSFIA、Tamura等日本企業將開端量產採用氧化鎵(GaO)的第三代功率半導體，可減少電力損耗、提高EV續航間隔。
日經報導24日新聞，日本企業將開端量產採用於EV、可大幅提高節能功能運彩朋友圈討論的次世代半導體產物，和現行產物比擬、可將EV續航間隔增加約1成。日本企業將量產的產物為功率半導體、且是在基板上採用氧化鎵玩運彩下注規則的第三代產物，和現行主流的矽(Si)製產物比擬、電力損耗可減少7成，採用於EV的話，可減少約1成耗電量、將可增加續航間隔。
新聞指出，獲三菱重工、Denso等企業出資的新創企業FLOSFIA將在本年內開端量產氧化鎵功率半導體、將在2024年夏天之前整備出月產數十萬個的生產系統，將銷售給汽車零件廠等客戶，且前程將託付日本電機大廠代工生產、目的在2030年將營收規模運彩購買限制提高至1,000億日圓。
據新聞，日本電子零運彩 開門件製作商Tamura也計畫在2024年以月產數萬個的規模開端生產氧化鎵功率半導體、目的在2027年將月產能提高至約6,000萬個。
截至日本股市25日早盤收盤(臺北時間上午10點30分)為止，Tamura狂飆649%，暫收722日圓。
功率半導體除了是EV的要害零件之外，也正擴張利用於工業機械人、離岸風力發電器材等用處，是減碳所不能或缺的產物之一。
目前日系廠商在功率半導體市場上佔有一定的存在感，三菱電機、富士電機、東芝等3家廠商合計握有環球2成市佔。
日本市調機構富士經濟(Fuji Keizai)5月23日公布查訪匯報指出，因汽車電子器材需要擴張，2024年環球功率半導體市場規模(涵蓋矽製產物和碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鎵等次世代功率半導體)預估將年增118%至2兆3,386億日圓，且之後市場規模將連續擴張，預估2030年將擴增至5兆3,587億日圓、將較2024年提升16倍(提升約160%)。
此中，2024年矽製功率半導體市場規模預估將年增100%至2兆2,137億日圓，2030年預估將擴張至4兆3,118億日圓、將較2024年提升11倍；2024年SiC等次世代功率半導體市場規模預估將年增587%至1,249億日圓，之後市場規模將展示連忙擴張，預估2030年將達1兆469億日圓、衝破兆圓大關、將較2024年暴增123倍。
