美國總統拜登(Joe Ben、見圖)亞洲之行首站是南韓,預測本週五(5月20日)抵達首爾,到訪的三天時期將率先參觀三星電子(Samsung Electronics Co)晶圓代工場,由三星副董事長李在鎔(Jay Y Lee)擔當導覽。
韓聯社、路透社新聞,動靜傳出,三星會在拜登拜訪平澤(Pyeongtaek)晶圓廠時,呈現最進步的次世代3奈米GAA製程專業,此一製程將在數月後量產。
一名熟知三星進步晶片科技的高層揭露,「三星應會向拜登呈現3奈運彩國際盤米晶片,出現逾越臺積電(2330)的晶圓製作工藝。」
依據三星說法,與5奈米相較,上述GAA製程可將晶片體積縮小最多35、運算機能增加30,耗電量則可減少50。三星曾公佈,2奈米製程仍在初期研發階段,預測2025年才幹量產。
李在鎔為了接待拜登總統,不會出席法院週五舉辦的管帳欺詐審判會。
高通執行長Cristiano Amon曾於2024年12月確定,該公司使用三星4奈米製程生產「Snapdragon 8 Gen 1」處置器。但是,傳聞顯示,高通已轉單給臺積電代工其新一代處置器「Snapdraon 8 Gen 1 Plus」,市場也因而對三星晶片良率產生諸多運彩 賭盤臆測。
三星:4奈米初步擴產略耽擱
2024-08-26