搶攻電動車(EV)商機，日本半導體大廠瑞薩電子(Renesas Electro運彩投注單nics)將重啟一座已進行關閉的舊廠房，倍增IGBT等功率半導體產能。
瑞薩17日發行報導稿公佈，將對已在2024年10月關閉的甲府工場投資900億日圓、導入使用12吋晶圓的功運彩 哪裡買率半導體產線，目的在2024年重啟甲府工場生產。甲府工場原本就佔有6吋和8吋產線，此次瑞薩為了增產功率半導體，將活用甲府工場現有的廠房，導入功率半導體專用的12吋產線。
瑞薩指出，為了實現減碳社會，擔當電力供應和管理的高效率功率半導體環球需要預估將進一步攀升，此中尤以EV用需要連忙擴張，而瑞薩將藉由擴增IGBT等功率半導體產能，為實現減碳社會帶來功勞，而待重啟的甲府工場正式量產後、瑞薩整體功率半導體產能將擴增至現行的2倍。
瑞薩表明，基於日本經濟行業省的半導體戰略，此次的器材投資將和經濟行業省進行親密配合，預定會在2024年內實施。
功率半導體除了是EV的要害零件之外，也正擴張利用於工業機械人、離岸風力發電器材等用處，是減碳所不能或缺的產物之一。
目前日系廠商在功率半導體市場上佔有一定的存在感，三菱電機、富士電機、東芝等3家廠商合計握有環球2成市佔。
日本市調機構富士經濟(Fuji Keizai)2024年6月10日公布查訪匯報指出，因車輛電子化、5G通信關連投資提升，加上行業領域需要回復，因此預估功率半導體市場將轉趨擴張，預估2030年市場規模將達4兆471億日圓、將較2024年景長443，此中矽製產物市場規模預估為3兆7,981億日圓、將較2024年景長380。
富士經濟表明，在汽車電子器材需要加持下，預估碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等次世代功率半導體市運彩 總分大小場將以每年近20的速度展示增長，2030年市場規模預估為2,490億日運彩朋友圈預測賽事圓、公牛對小牛 運彩將較2024年跳增38倍(發展約380)。
此中，因汽車電子器材需要加持，來自中國、北美、歐洲的需要揚升，預估2030年SiC功率半導體市場規模將擴張至1,859億日圓、將較2024年跳增28倍；GaN功率半導體市場規模預估將擴張至166億日圓、將較2024年飆增65倍；氧化鎵功率半導體市場規模預估為465億日圓。
