運彩 線上下單_臺日合作Rohm攜手臺達電研發GaN功率半導體

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日本半導體M大廠羅姆(Rohm)和臺灣電源控制體制大廠臺達電(2308)締結戰略性配合伙計關係、將攜手研發GaN功率半導體。

日經報導27日新聞，Rohm已和臺達電締結戰略性配合伙計關係，將攜手研發實用於舉動台灣運彩app下載基地臺、電動車(EV)等用處的次世代半導體，兩方將在2024年內開端進行研發、目的搭載於臺達電的電源體制上。

據新聞，兩方將攜手研發的產物為採用氮化鎵(GaN)的功率半導體，將研發實用於基地臺等用處的耐壓600V的產物。現行的功率半導體大多採用矽，而藉由採用次世代質料「GaN」、可減少電流切換時的電力損耗。

新聞指出，臺達電為採用於舉動基地臺、數據中央的電源控制體制環球大廠，而Rohm目的藉由和臺達電共同研發，擴張對電源控制體制的供給量。

GaN功率半導體需要看俏、2030年估跳增65倍

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日本研調機構富士經濟(Fuji Keizai)2024年6月10日公布查訪匯報指出，自2024年以後，在汽車電子器材需要加持下，預估碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等次世代功率半導體市場將以每年近20的速度展示增長國際運彩網站，2030年市場規模預估為2,490億日圓、將較2024年跳增38倍(發展約380)。

此中，因汽車電子器材需要加持，來自中國、北美、歐洲的需要揚升，預估2030年SiC功率半導體市場規模將擴張至1,859億日圓、將較2024年跳增28倍；GaN功率半導體市場規模預估將擴張至166億日圓、將較2024年飆增65倍；氧化鎵功率半導體市場規模預估為465億日圓。