搶攻電動車(EV)商機，日本富士電機(Fuji Electric)傳將量產EV用碳化矽(SiC)功率半導體、目的奪下環球2成市佔。
日本媒體Nesitc運彩 電腦版h 23日新聞，富士電機將在2運彩電腦版024年度內(2024年3月底前)應用松本工場開端量產EV用SiC功率半導體。富士電機的SiC功率半導體已供給給鐵道車輛採用，供給給EV採用為史上初次。
新聞指出，車用SiC市場預估將自2024年起展示連忙擴張，富士電機方案在2024年度以後將供給對象擴增至3家、車種擴增至3-4款，且為了因應需要提升，方案在日本青森縣的工場新設SiC功率半導體產線、並將在2024年度開端進行量產。
富士電機目的在2025年度將SiC功率半導體佔半導體事業營收比重提高至10擺佈、目的在2025-2026年時期將環球SiC市佔率提高至2成。
SiC功率半導體採用於EV逆變器上的話，耗電力可壓縮5-8、可增加續航間隔，目前特斯拉(Tesla)和中國車廠已開端在部門車款上採用SiC功率半導體。
美國顧問公司AlixPartners 6月22日在其年度汽車業界展望簡報上表明，因大多重要市場需要加快擴張，因此預估2028年之前EV佔環球新車販售量比重將達33、2035年之前將進一步擴張至54。
日刊工業報導6月9日新聞，日本半導體M大廠羅姆(Rohm)社長松本功表明，目的在2025年度之前將SiC功率半導體營收提高至1,000億日圓以上水準，將投資約1,500億日圓、把SiC功率半導體產能擴增至2024年度的約6倍水準。
松本功表明，「目的在2025年之前、奪下SiC功率半導體環球市佔龍頭位置」。
日媒上年12月3日新聞，因看好來自EV的需要將擴張，也讓東芝(Toshiba)等日本廠商開端相繼增產節能功能增加的EV用次世代半導體。各家日廠增產的對象為用來供給\管理電力的「功率半導體」產物，但是採用的質料不是現行主流的矽(Si)、而是使用了SiC。
新聞指出，因看好來自EV的需要有望展示連忙擴張，東芝半導體事業子公司「東芝電子元件及儲存裝置(Toshiba Electronic Devices 運彩 賠率 世足Storage)」方案在2024年度將旗下姬路半導體工場的SiC功率半導體產量擴增至2024年度的3運彩抽獎活動倍、之後方案在2025年度進一步擴增至10倍，目的最遲在2030年度贏得環球1成以上市佔率。
日本研調機構富士經濟(Fuji Keizai)上年6月10運彩 穩賺日公布查訪匯報指出，自2024年以後，在汽車電子器材需要加持下，預估碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等次世代功率半導體市場將以每年近20的速度展示增長，2030年市場規模預估為2,490億日圓、將較2024年跳增38倍(發展約380)。
此中，因汽車電子器材需要加持，來自中國、北美、歐洲的需要揚升，預估2030年SiC功率半導體市場規模將擴張至1,859億日圓、將較2024年跳增28倍；GaN功率半導體市場規模預估將擴張至166億日圓、將較2024年飆增65倍；氧化鎵功率半導體市場規模預估為465億日圓。
