搶攻需要看旺的電動車(EV)商機，日本富士電機(Fuji Electric)傳出將大幅增產碳化矽(SiC)功率半導體，計畫將SiC產能擴增至現行的10倍、目的奪下環球2成市佔。
日經報導26日新聞，富士電機方案在2024年度將採用SiC的次世代功率半導體產能擴增至當前(2024年度)的約10倍水準，主運彩購買教學因來自EV等電動化車款的需要預估將擴張。富士電機目前已生產新幹線零件用SiC功率半導體，而為了為此後供給給汽車行業採用預作預備、將在日本內地的工場整備量產運彩 現場買系統。目前已有多家企業決擇使用富士電機的EV用SiC功率半導體產物。
據新聞，富士電機目前已開端生產SiC功率半導體的松本工場將自2024年度起陸續進行增產，且子公司「富士電機津輕半導體」的工場內也將導入SiC功率半導體產線、並將在2024年度開端進行量產。富士電機目的在2025年度將SiC功率半導體佔半導體事業營收比重提高至10擺佈、目的在2025-2026年時期將環球SiC功率半導體市佔率提高至2成。
新聞指出，和現行主流的矽(Si)製產物比擬，SiC製產物能接受更高的電壓、大幅減低功率消歐冠盃賠率耗，可有助於延伸EV續航間隔和實現電池小型化。
SiC功率半導體需要旺、2030年估跳增118倍
日本市調機構富士經濟(Fuji Keizai)5月23日公布查訪匯報指出，因汽車電子器材需要擴張，2024年環球功率運彩 nba 延長賽半導體市場規模(涵蓋矽製產物和碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鎵等次世代功率半導體)預估將年增118至2兆3,386億日圓，且之後市場規模將連續擴張，預估2030年將擴增至5兆3,587億日圓、將較2024年提升16倍(提升約160)。
此中，2024年矽製功率半導體市場規模預估將年增100至2兆2,137億日圓，2030年預估將擴張至4兆3,118億日圓、將較2024年提升11倍；2024年SiC等次世代功率半導體市場規模預估將年增587至1,249億日圓，之後市場規模將展示連忙擴張，預估2030年將達1兆469億日圓、衝破兆圓大關、將較2024年暴增123倍。
就次世代功率半導體的細項來看，2024年SiC功率半導體市場規模(涵蓋SiC-SBD、SiC-FET、SiC功率模組)預估將年增595至1,206億日圓，2030年預估將擴張至9,694億日圓、將較2024年暴增118倍；2024年GaN功率半導體市場規模預估將年增219至39億日圓，2030年預估將擴張至305億日圓、將較2024年暴增85倍；2024年氧化鎵功率半導體市場規模預估為3億日圓、2030年有望擴張至470億日圓。
日廠搶攻EV用SiC功率半導體
日刊工業報導6月9日新聞，日本半導體M大廠羅姆(Rohm)社長松本功表明，目的在2025年度之前將SiC功率半導體營收提高至1,000億日圓以上水準，將投資約1,500億日圓、把SiC功率半導體產能擴增至2024年度的約6倍水準。松本功表明，「目的在2025年之前、奪下SiC功率半導體環球市佔龍頭位置」。
日媒上年12月3日新聞，因看好來自EV的需要有望展示連忙擴張，東芝半導體事業子公司「東芝電子元件及儲存裝置(Toshiba Electronic Devices Storage)」方案在2024年度將旗下姬路半導體工場的S運彩過關組合表iC功率半導體產量擴增至2024年度的3倍、之後方案在2025年度進一步擴增至10倍，目的最遲在2030年度贏得環球1成以上市佔率。
