日本半導體M大廠羅姆(Rohm)將砸1,500億日圓投資，大幅增產碳化矽(SiC)功率半導體、產能將擴增至現行的6倍水準，拼當環球市佔龍頭。
日本媒體Nesitch 10日新聞，Rohm社長松本功表明，目的在2025年度之前將SiC功率半導體營收提高至1,000億日圓以上水準，將投資約1,500億日圓、把SiC功率半導體產能擴增至2024年度的約6倍水準。
松本功表明，「目的在2025年之前、奪下SiC功率半導體環球市佔龍頭位置」。
Rohm的SiC功率半導體應用筑後工場(福岡縣筑後市)和宮崎工場(宮崎市)的6吋晶圓產線生產，而筑後工場的新廠房將自12月開端進行量產、產能將逐步擴增，且也方案在2025年之前應用8吋晶圓產線進行量產。
據新聞，在2024-2025年度時期、Rohm的SiC功率半導體累計訂單將達約8,400億日圓，此後Rohm將連續進行器材投資、計畫在2030年度將產能擴增至2024年度的25倍水準。
日媒上年12月3日新聞，因看好來自電動車(EV)的需要將擴張，也讓東芝(Toshiba)等日本廠商開端相繼增產節能功能增加的EV用次世代半導體。各家玩運彩下注規則日廠增產的對象為用來供給\管理電力的「功率半導體」產物，但是採用的質料不是現行主流的矽(Si)、而是使用了SiC。SiC功率半導體採用於EV逆變器上的話，耗電力可壓縮5-8、可增加續航間隔，目前特斯拉(Tesla)和中國車廠已開端在部門車款上採用SiC功率半導體。
新聞指出，因看好來自EV的需要有望展示連忙擴張，東芝半導體如何玩運彩分析事業子公司「東芝電子元件及儲存裝置運彩分析(Toshiba Electronic Devices Storage)」方案在2024年度將旗下姬路半導體工場的SiC功率半導體產量擴增至2024年度的3倍、之後方案在2025年度進一步擴增至10倍，目的最遲在2030年度贏得環球1成以上市佔率。
另有，富士電機斟酌將SiC功率半導體開端生產的時間自原本方案(2025年)提運彩 領獎期限前半年到1年。
此中，因汽車電子器材需要加持，來自中國、北美、歐洲的需要揚升，預估2030年SiC功率半導體市場規模將擴張至1,859億日圓、將較2024年跳增28倍；GaN功率半導體市場規模預估將擴張至166億日圓、將較2024年飆增65倍；氧化鎵功率半導體市場規模預估為465億日圓。
