日本半導體M大廠羅姆(Rohm)傳出將在12月開端量產碳化矽(SiC)功率半導體，有望將電動車(EV)續航間隔提高1成，目的是奪下環球3成市佔率。
日經報導、共同通訊25日新聞，Rohm將在12月下旬開端正式量產次世代功率半導體產物，其採用的質料不是現行的矽(Si)、而是採用SiC，將能增加EV的續航間隔。
據新聞，Rohm已在本年春天在位於日本福岡縣筑後市的主力工場內運彩 時間辦妥專用廠房的興建、當前並辦妥器材的搬入功課，將在12月正式進行量產，且Rohm將在2025年度了結前對SiC功率半導體最高投資2,200億日圓玩運彩充值優惠、搶攻環球3成市佔率，目的在2025年度將SiC關連事業玩運彩網站心得營收提高至1,100億日圓、將達2024年度的7倍水準。
據新聞，功率半導體採用於EV逆變器等用處，用於把從電池流向馬達的電力從直流電轉換成切磋電，而在進行轉換時、會發作電力消耗，但是和矽製產物比擬、SiC的消耗更小，以Rohm的產物為例、可將EV續航間隔提高1成。
依據Yahoo Finance的報價顯示，截至臺北時間28日上午10點08運彩 和局 足球 延長賽分為止，Rohm小漲0%至11,150日圓、體現優於東證股價指數(TOPIX)的下跌2%。
日刊工業報導6月9日新聞，Rohm社長松本功表明，將投資約1,500億日圓、把SiC功率半導體產能擴增至2024年度的約6倍水準。松本功表明，「目的在2025年之前、奪下SiC功率半導體環球市佔龍頭位置」。
據新聞，在2024-2025年度時期、Rohm的SiC功率半導體累計訂單將達約8,400億日圓，此後Rohm將連續進行器材投資、計畫在2030年度將產能擴增至2024年度的25倍水準。
SiC功率半導體需要旺、2030年估跳增118倍
日本市調機構富士經濟(Fuji Keizai)5月23日公布查訪匯報指出，因汽車電子器材需要擴張，2024年環球功率半導體市場規模(涵蓋矽製產物和碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鎵等次世代功率半導體)預估將年增118%至2兆3,386億日圓，且之後市場規模將連續擴張，預估2030年將擴增至5兆3,587億日圓、將較2024年提升16倍(提升約160%)。
此中，2024年矽製功率半導體市場規模預估將年增100%至2兆2,137億日圓，2030年預估將擴張至4兆3,118億日圓、將較2024年提升11倍；2024年SiC等次世代功率半導體市場規模預估將年增587%至1,249億日圓，之後市場規模將展示連忙擴張，預估2030年將達1兆469億日圓、衝破兆玩運彩nba投注網站圓大關、將較2024年暴增123倍。
就次世代功率半導體的細項來看，2024年SiC功率半導體市場規模(涵蓋SiC-SBD、SiC-FET、SiC功率模組)預估將年增595%至1,206億日圓，2030年預估將擴張至9,694億日圓、將較2024年暴增118倍；2024年GaN功率半導體市場規模預估將年增219%至39億日圓，2030年預估將擴張至305億日圓、將較2024年暴增85倍；2024年氧化鎵功率半導體市場規模預估為3億日圓、2030年有望擴張至470億日圓。
